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看好第三代半導體未來發(fā)展, 中睿技術檢測公司引進相關設備, 提供業(yè)界可靠性驗證服務
來源:中睿技術檢測 2024-03-27 |  2184

 

第三代半導體指的是以碳化硅(SiC)氮化鎵(GaN)為代表的新型化合物, 此種新型化合物較傳統(tǒng)的化合物, 在高溫、高壓及大電流的環(huán)境下, 有著相對的特性優(yōu)勢。

而氮化鎵(GaN)作為新的第三代半導體材料,應用范圍相當廣泛,其中GaN的射頻器件可作為通訊及5G基站的應用, GaN的光電器件可用于高清電視,顯示屏,以及手機和電腦的背光使用, 而GaN製成的功率半導體, 也被廣泛應用在新能源汽車的車充, DC/AC 適配器及電池管理系統(tǒng)等。

 

尤其第三代半導體產(chǎn)業(yè)在中國大戰(zhàn)略的政策計劃推動下,氮化鎵不論在應用領域以及市場規(guī)模, 正快速的成長擴大,新公司蔚為風潮的投入相關產(chǎn)業(yè)鏈, 樂觀估計, 到了2026年, 中國的氮化鎵市場,將會成長到超過千億元以上的規(guī)模, 成為未來的明星產(chǎn)業(yè)之一。

 

為確保出貨產(chǎn)品的可靠性, 中睿技術檢測透過相關驗證設備, 能快速、精確的協(xié)助客戶定位異常產(chǎn)品,提供改善優(yōu)化以及更新迭代的參考, 來增加產(chǎn)品的可靠性, 加速產(chǎn)品開發(fā)時程,并提高出貨良率,進而在市場競爭中,取得致勝先機。

中睿技術檢測引進的GaN測試設備, 包括HTRB(高溫反偏壓測試)和HTGB(高溫柵極偏壓測試),還有針對車規(guī)產(chǎn)品進行的H3TRB(高濕度、高溫反向偏置測試)設備,相關測試也包含了TCT(供電溫度循環(huán)), 能提供業(yè)界相對完整的系列解決方案, 是氮化鎵客戶最佳的測試選擇。

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