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溫濕度偏壓實驗（Temperature and humidity bias test: THB）

測試目的：芯片處于高溫、高濕的加速因子下，施加電壓，以實驗封裝的抗腐蝕能力，確定其可靠性。

測試條件：溫濕度:85℃/85% RH，電壓Vcc=Vccmax ，測試時間：1000hrs

樣品數(shù)：25ea/lot , 3lots

測試讀點：168 、500 、1000hrs

參考規(guī)范：JESD22-A110 

滿意度調(diào)查
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