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溫濕度偏壓高加速應(yīng)力實(shí)驗(yàn)（High accelerated temperature and humidity stress test: HAST）
測(cè)試目的：芯片處于密閉空間內(nèi)高溫、高濕、高壓的加速因子下，施加電壓，以實(shí)驗(yàn)封裝的抗腐蝕能力，確定其可靠性。
測(cè)試條件：130℃/110 ℃，85% RH，蒸氣壓:33.3/17.7 psia，電壓Vcc=Vccmax，測(cè)試時(shí)間:96/264hrs
樣品數(shù)：25ea/lot , 3lots
參考規(guī)范：JESD22-A110
